Nanocristal promete almacenamiento masivo 3-D con material económico

La Universidad de Rice ha publicado hoy que un grupo de científicos han creado la primera de dos terminales que utilizan chips de memoria de silicio única, expandiendo los límites de la miniaturización basadas en la Ley de Moore.
Esta nueva tecnología que se le da el nombre de arquitectura de memoria 3-D permite mejorar la escalabilidad en un orden de magnitud en comparación con la tecnología flash NAND disponible hoy en día. Un portavoz de la Universidad de Rice," dijo. "Tenemos la memoria que está hecha de material muy barato y funciona."
Los investigadores de Rice, dijeron que la nueva tecnología podría soportar la radiación y temperaturas de 200 grados centígrados.
A diferencia de la memoria flash NAND, que está controlada por tres terminales o cables, la memoria de silicio necesita dos nuevos terminales, por lo que es más viable para las matrices de silicio tridimensional o apilados - multiplicando la capacidad de un chip. Pero como la memoria flash, chips hechos con silicio consumen prácticamente ningún poder y al mismo tiempo permiten mantener los datos intactos.
Los cables de nanocristales son tan pequeñas como 5 nanómetros de ancho. Un nanómetro es una milmillonésima de un metro.

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